摘要：

CMOS器件进入深亚微米阶段，VLSI集成电路（IC）继续向高集成度，高速度，低功耗发展，使得IC在制造、设计、封装，测试上都面临新的挑战，测试已从IC设计流程的后端移至前端，VLSI芯片可测试性设计已成为IC设计中必不可少的一部分，本文介绍近几年来VLSI芯片可测试性设计的趋势，提出广义可测试性设计（TDMS技术）概念，即可测试试性，可调试性，可制造性和可维护性设计，并对可调试性设计方法学和广义可测试性设计的系统化方法作了简单介绍。

关键词: VLSI芯片 可测试性 可调试性 可制造性 可维护性 设计 超大规模集成电路