相变存储器写寿命延长关键技术研究进展

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相变存储器写寿命延长关键技术研究进展

张震1,2，付印金1，胡谷雨1

Review:Key techniques of write endurance

improvement for phase change memory

ZHANG Zhen1,2,FU Yinjin1,HU Guyu1

计算机工程与科学 . 2018, (09): 1546 -1555 .