J4 ›› 2006, Vol. 28 ›› Issue (8): 105-107.
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殷湛 郭立 杨吉庆
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摘要：
本文提出了一个适合模拟集成电路设计和分析的金属氧化物场效应晶体管模型。它以晶体管反型系数if为基础，表达式具有简洁的形式和良好的精度，并通过一个ADC电路中经常出现的简单共源极放大器的设计过程和仿真结果的对比分析，解释说明这个模型的具体应用。
关键词: 金属氧化物场效应晶体管 跨导 反型系数 模数转换器
Abstract:
This paper presents a MOS transistor model, which can be applied to analog integrated circuit design and analysis conveniently. The brief expressions with good precision are based on the inversion coefficient if. Finally the design results and simulations of a common-source amplifier in ADC circuits i llustrate the model＇s applications.
Key words: （MOSFET, trans-eonduetanee, inversion coefficient, ADC）
殷湛 郭立 杨吉庆. 一种用于ADC模拟集成电路设计和分析的MOS晶体管模型[J]. J4, 2006, 28(8): 105-107.
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