可记忆电阻器及其应用展望综述

doi:10.3969/j.issn.1007130X.2011.

J4 ›› 2011, Vol. 33 ›› Issue (2): 80-85.doi: 10.3969/j.issn.1007130X.2011.

可记忆电阻器及其应用展望综述

张荣芬,邓朝勇,傅兴华

（贵州大学理学院，贵州贵阳 550025）

收稿日期:2010-04-19 修回日期:2010-06-25 出版日期:2011-02-25 发布日期:2011-02-25
通讯作者: 张荣芬 E-mail:zrfen77@163.com
作者简介:张荣芬(1977),女,贵州兴仁人，博士生，副教授，研究方向为电路与系统,电子功能材料与器件。邓朝勇(1977),男,贵州贵阳人，博士,教授,研究方向为低维半导体材料与器件，新型光电子材料与器件，材料热力学与材料设计，氧化物功能膜材料制备与表征。傅兴华(1948),男,贵州贵阳人，教授，研究方向为半导体物理与器件物理，集成电路，超导材料及其应用等。

Memristor and Its Application

ZHANG Rongfen,DENG Chaoyong,FU Xinghua

(School of Science,Guizhou University,Guiyang 550025,China)

Received:2010-04-19 Revised:2010-06-25 Online:2011-02-25 Published:2011-02-25

摘要/Abstract

摘要：

可记忆电阻器，本文简称为忆阻器，能够不需要功率源而储存信息，是一种纳米尺寸的器件，它于1971年被Leon Chua作为一种“丢失的电路元件”提出，2008年被惠普实验室研究人员Williams R S等证明的确存在，成为电路理论里电阻器、电容器和电感器以外的第四个基本电路元件，极有可能引领电子学的一次重要变革。本文回顾了忆阻器的概念和数学定义，重点介绍了惠普实验室的Pt／TiO2／Pt三明治结构的忆阻器薄膜器件模型和忆阻器元件某些值得关注的特性，如滞回曲线特性，最后探讨了可记忆元件在纳米级器件领域的应用前景和研究方向。

关键词: 忆阻器;纳米级器件;滞回曲线特性

Abstract:

Memristor is the contraction for memory and resistor, means memorable resistor, which can store information without the need of a power source. It was predicted in 1971 by Leon Chua as a “Missing Circuit Element” and was identified by R. Stanley Williams as a possible nanoscale device. In this paper, we review the concept and the mathematical definition of memristor, introduce the HP’s sandwich model of Pt／TiO2／Pt, and provide a fundamental analysis of the memristor behavior , such as pinched hysteretic loops. Finally, we discuss its application and research fields as a nanoscale device in the future.

Key words: memristors;nanoscale device;history hysteresis

张荣芬,邓朝勇,傅兴华. 可记忆电阻器及其应用展望综述[J]. J4, 2011, 33(2): 80-85.

ZHANG Rongfen,DENG Chaoyong,FU Xinghua. Memristor and Its Application[J]. J4, 2011, 33(2): 80-85.

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