结深对65 nm体硅CMOS晶体管单粒子瞬态脉冲的影响

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结深对65 nm体硅CMOS晶体管单粒子瞬态脉冲的影响

刘蓉容，池雅庆，窦强

Impact of junction depth on SET pulse width

in 65nm bulk CMOS transistor

LIU Rong-rong,CHI Ya-qing,DOU Qiang

计算机工程与科学 . 2017, (12): 2176 -2184 .