摘要:
使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N+-N结、P+-P结和PN结深度的变化对PMOS 以及NMOS 单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压温度变化下结深对晶体管单粒子瞬态的影响程度。结果表明,N+-N结的变化对PMOS晶体管单粒子瞬态脉冲宽度的影响最为显著。同时,还分析出N+-N、P+-P结在不同电压下的差异性较为明显,PN结在不同温度下的差异性较为显著。
刘蓉容,池雅庆,窦强. 结深对65 nm体硅CMOS晶体管单粒子瞬态脉冲的影响[J]. 计算机工程与科学.
LIU Rong-rong,CHI Ya-qing,DOU Qiang.
Impact of junction depth on SET pulse width
in 65nm bulk CMOS transistor
[J]. Computer Engineering & Science.