SoC嵌入式存储器内建自修复方法

计算机工程与科学

SoC嵌入式存储器内建自修复方法

秦盼1，王健2，朱芳1，焦贵忠1

（1.北方通用电子集团有限公司，安徽蚌埠 233030;2.中国人民解放军驻9373厂军事代表室，安徽蚌埠233030）

收稿日期:2018-11-14 修回日期:2019-04-30 出版日期:2019-10-25 发布日期:2019-10-25

A memory built-in self-repair method for SoC design

QIN Pan1,WANG Jian2,ZHU Fang1,JIAO Gui-zhong1

(1.North General Electronics Group Co.Ltd.,Bengbu 233030;

2.PLA Representative Office in 9373 Factory,Bengbu 233030,China)

Received:2018-11-14 Revised:2019-04-30 Online:2019-10-25 Published:2019-10-25

摘要/Abstract

摘要：

嵌入式存储器的内建自测试及修复是提高SoC芯片成品率的有效办法。详细描述了存储器良率的评估方法，提出了一种基于Mentor公司Tessent工具的存储器修复结构。

该结构采用了冗余修复及电可编程熔丝eFuse硬修复的方法，具有很好的通用性及可行性，已多次应用在实际项目中。

关键词: SoC, 嵌入式存储器, 内建自测试, 内建自修复

Abstract:

Built-in self-test and self-repair of embbeded memory is an effective method to improve the System-on-Chip (SoC) yield. The memory yield evaluation method is described in detail. A memory repair structure based on Tessent tool of Mentor corporation is proposed. This structure uses the redundant repair method and the efuse-based hard repair method. It has been applied to practical projects many times.

Key words: SoC, embedded memory, Built-In Self-Test (BIST), Built-In Self-Repair (BISR)

秦盼1，王健2，朱芳1，焦贵忠1. SoC嵌入式存储器内建自修复方法[J]. 计算机工程与科学.

QIN Pan1,WANG Jian2,ZHU Fang1,JIAO Gui-zhong1. A memory built-in self-repair method for SoC design[J]. Computer Engineering & Science.

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