一种用于无源RFID标签芯片的可校准低功耗基准源

J4 ›› 2014, Vol. 36 ›› Issue (12): 2424-2428.

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一种用于无源RFID标签芯片的可校准低功耗基准源

郑礼辉，李建成，郭俊平

（国防科学技术大学电子科学与工程学院，湖南长沙 410073）

收稿日期:2014-05-20 修回日期:2014-08-11 出版日期:2014-12-25 发布日期:2014-12-25
基金资助:
国家自然科学基金资助项目（61201167）

A lower-power calibrated bandgap
reference circuit for passive RFID chip

ZHENG Lihui,LI Jiancheng,GUO Junping

（College of Electronic and Engineering,National University of Defense Technology,Changsha 410073,China）

Received:2014-05-20 Revised:2014-08-11 Online:2014-12-25 Published:2014-12-25

摘要/Abstract

摘要：

提出一种应用于RFID芯片的低功耗、可校准基准源电路。设计采用了全MOS管以及电阻来实现，大部分管子都工作在亚阈值状态，同时可以产生基准电压和基准电流。该基准源采用了GSMC 0.13 μm 1P5M工艺来实现,其最大工作电流不超过350 nA，供电电压为1.2 V，并且在0.9 V~2.5 V电压下均可工作。在-45℃~65℃的工作温度下，电压基准源的温度系数为30.3 ppm/℃，电流基准源的温度系数为20.7 ppm/℃。

关键词: 低功耗, 基准源, 可校准, 亚阈值

Abstract:

A lower-power and calibrated bandgap reference circuit for passive RFID chip is proposed.The design is only made up of MOSFETs and resistors,and most of MOSFETs work in subthreshold region, thus producing voltage reference and current reference in the same time.The reference circuit,fabricated in a 0.13 μm GSMC 1P5M process,can operate with a supply voltage ranging from 0.9 V to 2.5 V and draws a current as low as 350 nA with the 1.2 V supply voltage.Its temperature coefficients of voltage reference and current reference are 30.3 ppm/℃ and 20.7 ppm/℃ respectively under working temperature from -45℃ to 65℃.

Key words: lower-power;bandgap reference;calibrated;subthreshold

郑礼辉，李建成，郭俊平. 一种用于无源RFID标签芯片的可校准低功耗基准源[J]. J4, 2014, 36(12): 2424-2428.

ZHENG Lihui,LI Jiancheng,GUO Junping. A lower-power calibrated bandgap
reference circuit for passive RFID chip [J]. J4, 2014, 36(12): 2424-2428.

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